IGBT
در فرکانس های بالای کلیدزنی، از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده می شود. با بالا رفتن
فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کند و نویز شدیدی را با توان بالا تولید می کند. به همین سبب در
فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده می شود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن
نیز زیاد می شود. المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای دو قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و
POWER MOSFETرا ندارد، این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است .
IGBTچيست؟
 IGBT(ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب دو نوع
ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است. بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را می بینید و از
نظر خروجی یکBJT. BJT ها وMOSFET ها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل
می کنند .BJT ها در حالت روشن (وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالی که زمان سوئیچینگ آن ها
به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی تر است .MOSFET ها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند
بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است . IGBT یک ترانزیستوری است که مزایای BJT و MOSFET را باهم
دارد مثل:
1- امپدانس ورودی بالا مثلMOSFET 2- افت ولتاژ و تلفات کم مانندBJT
3- نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن (وصل) کوچکی است. اسامی پایه ها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G از MOSFET و C,E از ترانزیستورهای .BJT در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده می کنید که دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است. سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1 KHzتا 05 KHzکه در کل ب
دانلود فایل‌ها و منابع مرتبط
فایل‌های تکمیلی مرتبط با موضوع مقاله از آرشیو محتوای اینتلیکو:
پیش از استفاده، نسخه و سازگاری فایل با تجهیزات و نرم‌افزار موردنظر را بررسی کنید.